 Впервые, наномагнитные островки или массивы были расположены в экзотической структуре (называемый «шакти»), который непосредственно не относится к какому-либо известному природному материалу. Конфигурация искусственного спинового льда шакти была изготовлена и подтверждена экспериментально. Массивы являются теоретическими предсказаниями нескольких, или вырожденных основных состояний, которые характерны для сложных разорванных магнитных материалов.
Сложные массивы наномагнита с уникальной геометрией могут быть разработаны и изготовлены для выставления нужных физических явления и тонкие эффекты. Результаты открывают дверь к экспериментам на других решетках искусственного спинового льда, с возможностью других интересные явления. Явления связаны с дизайном экзотических решетчатых конструкций, где топология определяет физику и свойства материала.
Искусственный спиновый лед представляет собой класс литографически созданных массивов взаимодействующих ферромагнитных островов нанометрового масштаба. Исследователи создали искусственный спиновый лед в качестве средства для изучения магнетизма и связанной с ним физикой в материале, которая может быть адаптирована к точным спецификациям. Из-за больших магнитных энергетических масштабов этих наноразмерных островков, специальная недавно разработанная термическая обработка требуется для достижения магнитного состояния грунта. В этом исследовании железоникелевые наномагниты были изготовлены в массивах шакти, в структуре с 2, 3 и 4 наномагнитными островами, встречающимися в периодических массивах. Затем структура подверглась термической обработке путем ее нагрева выше температуры Кюри (температура, при которой наномагниты становятся магнитными). Таким образом, искусственный спиновый лед достиг беспрецедентного теплового основного состояния упорядочения магнитных моментов. В этих исследованиях, спиновые решетки шакти были использованы для экспериментального подтверждения основных состояний решетки, предсказанного моделирования по методу Монте-Карло и изучения динамики и эффекты экранирования заряда для системы.
|
